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J-GLOBAL ID:200903066766732794
セラミック基板用組成物およびセラミック回路部品
Inventor:
,
,
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
小柴 雅昭 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1999160642
Publication number (International publication number):2000351668
Application date: Jun. 08, 1999
Publication date: Dec. 19, 2000
Summary:
【要約】【課題】 1000°C以下の低温焼結が可能で、Ag系やCu系などの低抵抗の金属を主成分とする導電体回路を同時に焼成できる、セラミック基板用組成物を提供する。【解決手段】 セラミック基板用組成物は、5〜17.5重量%のB2 O3 、28〜44重量%のSiO2 、0〜20重量%のAl2 O3 、および36〜50重量%のMO(ただし、MOは、CaO、MgOおよびBaOから選ばれた少なくとも1種)からなるホウケイ酸系ガラス粉末を40〜49重量%と、アルミナ粉末のようなセラミック粉末を60〜51重量%とを含有する。この組成物を用いて構成されたセラミック基板は、高機械的強度、低誘電率、低損失かつ6.0ppm/°C以上の高熱膨張係数を実現する。
Claim (excerpt):
5〜17.5重量%のB2 O3 、28〜44重量%のSiO2 、0〜20重量%のAl2 O3 、および36〜50重量%のMO(ただし、MOは、CaO、MgOおよびBaOから選ばれた少なくとも1種)からなるホウケイ酸系ガラス粉末とセラミック粉末とを混合したものであり、前記ホウケイ酸系ガラス粉末を40〜49重量%、および前記セラミック粉末を60〜51重量%それぞれ含有する、セラミック基板用組成物。
IPC (3):
C04B 35/195
, C03C 3/085
, H05K 1/03 610
FI (3):
C04B 35/18 B
, C03C 3/085
, H05K 1/03 610 D
F-Term (109):
4G030AA36
, 4G030BA09
, 4G030BA12
, 4G030BA24
, 4G030CA08
, 4G030GA14
, 4G030GA15
, 4G030GA20
, 4G030PA07
, 4G030PA22
, 4G062AA09
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, 4G062PP14
, 4G062QQ07
, 4G062QQ17
, 4G062QQ20
Patent cited by the Patent:
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