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J-GLOBAL ID:200903066769756848

電磁干渉抑制体の製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 山崎 拓哉
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2007044131
Publication number (International publication number):2007173859
Application date: Feb. 23, 2007
Publication date: Jul. 05, 2007
Summary:
【課題】互いに異なる磁気共鳴周波数を有するような材料を混合して得ることができる広帯域なμ′′分散特性を更に広帯域なものとするために利用可能な透磁率の周波数特性の制御方法を提供すること。【解決手段】軟磁性体粉末と有機結合剤とからなる複合磁性体を備え、該複合磁性体の虚数部透磁率μ′′を利用して不要輻射を抑制する電磁干渉抑制体の製造方法において、軟磁性体粉末の磁歪定数λを正又は負とすることにより虚数部透磁率μ′′の周波数を制御する。かかる制御方法と、互いに異なる磁気共鳴周波数を有するような材料を混合するといった周波数制御方法を適切に組み合わせることで、後者の方法のみにより周波数制御を行った場合よりも、より広帯域なμ′′分散特性を得ることができる。【選択図】図2
Claim (excerpt):
軟磁性体粉末と有機結合剤とからなる複合磁性体を備え、該複合磁性体の虚数部透磁率μ′′を利用して不要輻射を抑制する電磁干渉抑制体の製造方法において、前記軟磁性体粉末の磁歪定数λを正又は負とすることにより前記虚数部透磁率μ′′の周波数を制御することを特徴とする電磁干渉抑制体の製造方法。
IPC (2):
H01F 1/00 ,  H05K 9/00
FI (2):
H01F1/00 C ,  H05K9/00 M
F-Term (6):
5E040AA01 ,  5E040BB03 ,  5E040CA13 ,  5E321BB32 ,  5E321BB53 ,  5E321GG11
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (1)
  • 電磁波干渉抑制体
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平6-004864   Applicant:株式会社トーキン
Cited by examiner (2)
Article cited by the Patent:
Cited by examiner (1)
  • ファインセラミクステクノロジーシリーズ○4磁性材料セラミクス, 19861130, P36-37,P42-43

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