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J-GLOBAL ID：200903066776354569

磁電変換素子

Inventor： 宇田川 隆
Applicant, Patent owner： 昭和電工株式会社
Agent (1)： 寺田 實
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993222629
Publication number (International publication number)：1995079031
Application date： Sep. 07, 1993
Publication date： Mar. 20, 1995
Summary：

【要約】【目的】 ヘテロ接合ホール素子において、高感度化を達成する。【構成】 ヘテロ接合界面から感磁部層に向かって、全体の層厚の20%以内の範囲の領域に歪層を与える。【効果】 感磁部層の電子移動度を低下させずに高感度のヘテロ接合ホール素子を安定的に提供できる。

Claim (excerpt)：

III-V族化合物半導体のヘテロ接合を具備してなる磁電変換素子において、感磁部層内のヘテロ接合界面から感磁部層の膜厚の20%以内の領域に歪層を存在させたことを特徴とする磁電変換素子。