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J-GLOBAL ID：200903066797166738

半導体レーザ装置

Inventor： 古谷 章 ,  穴山 親志 ,  近藤 真人 ,  棚橋 俊之
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 北野 好人
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992233708
Publication number (International publication number)：1994085385
Application date： Sep. 01, 1992
Publication date： Mar. 25, 1994
Summary：

【要約】【目的】 半導体レーザ装置、特に赤色可視光で発光する半導体レーザ装置に関し、バレンスバンド端の不連続部分がなく、ヘテロ界面において電流が拡がることなく、電流電圧特性の優れた半導体レーザ装置を提供することを目的とする。【構成】 p-GaAs基板10上にp-AlGaInPクラッド層18とn-AlGaInPクラッド層22によりInGaP活性層20を挟んだダブルヘテロ構造が形成された半導体レーザ装置において、p-GaAs基板10とp-AlGaInPクラッド層18の間に、バレンスバンド端がp-GaAs基板10側において連続し、バンドギャップエネルギがp-AlGaInPクラッド層18側に近付くにしたがって徐々に大きくなる第1グレーデッド中間層28を設ける。

Claim (excerpt)：

p-GaAs基板と、前記p-GaAs基板上に形成されたp-AlGaInPクラッド層と、前記p-AlGaInPクラッド層上に形成された活性層と、前記活性層上に形成されたn-AlGaInPクラッド層とを有する半導体レーザ装置において、前記p-GaAs基板と前記p-AlGaInPクラッド層の間に、バレンスバンド端が前記p-GaAs基板側において連続し、バンドギャップエネルギが前記p-AlGaInPクラッド層側に近付くにしたがって徐々に大きくなる第1のグレーデッド中間層を設けたことを特徴とする半導体レーザ装置。