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J-GLOBAL ID：200903066797883383

光導波路の製造方法

Inventor： 岡村 浩司 ,  有馬 忠夫
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 松本 昂
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991263633
Publication number (International publication number)：1993100123
Application date： Oct. 11, 1991
Publication date： Apr. 23, 1993
Summary：

【要約】【目的】本発明は火炎堆積法を用いた光導波路の製造方法の改良に関し、加熱によりコアが変形しにくく且つ損失特性が劣化しにくい量産に適した光導波路の製造方法の提供を目的とする。【構成】コア24′の外表面を覆うように低温CVD法により薄膜層26を形成し、この薄膜層を加熱してアニーリングを行った後に、火炎堆積法によりアウタークラッド28′を形成する。

Claim (excerpt)：

主としてSiO2 からなる比較的低屈折率なアンダークラッド(22)上に火炎堆積法により主としてSiO2 からなる比較的高屈折率なコア層(24)を形成するステップと、該コア層(24)をパターンエッチングして所定形状のコア (24′) を形成するステップと、該コアの外表面を覆うように上記アンダークラッド(22)上に低温CVD法により主としてSiO2 からなる薄膜層(26)を形成するステップと、該薄膜層を加熱してアニーリングするステップと、該薄膜層上に火炎堆積法により主としてSiO2 からなる上記アンダークラッドと同等屈折率のアウタークラッド (28′) を形成するステップとを含むことを特徴とする光導波路の製造方法。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平1-267509
  
• 特開平3-018803
  
• 特開平2-221904