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J-GLOBAL ID：200903066826444726

半導体超微粒子の製造方法及び製造装置

Inventor： 齊田 壮一郎 ,  加和 学
Applicant, Patent owner： 三菱化学株式会社
Agent (1)： 長谷川 曉司
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001154765
Publication number (International publication number)：2002079075
Application date： May. 24, 2001
Publication date： Mar. 19, 2002
Summary：

【要約】【課題】 粒径分布が狭く且つ吸発光特性の優れた半導体超微粒子を生産性良く製造する方法を提供する。【解決手段】 陽性元素を含有する第1物質と陰性元素を含有する第2物質とを半導体原料とし、該第1物質又は第2物質のいずれかの水溶液を有機液相媒質に分散した逆ミセル液体を管状流通反応器内においてもう一方の半導体原料と接触させて化合物半導体結晶を有機液相媒質中で成長させ、かつ両者の接触時点の反応液相のレイノルズ数が1以上である、半導体超微粒子の製造方法。

Claim (excerpt)：

陽性元素を含有する第1物質と陰性元素を含有する第2物質とを半導体原料とし、該第1物質又は第2物質のいずれかの水溶液を有機液相媒質に分散した逆ミセル液体を管状流通反応器内においてもう一方の半導体原料と接触させて化合物半導体結晶を有機液相媒質中で成長させ、かつ両者の接触時点の反応液相のレイノルズ数が1以上であることを特徴とする半導体超微粒子の製造方法。

IPC (4)：

B01J 19/00 ,  B01J 19/00 311 ,  H01L 31/0248 ,  H01L 33/00

FI (4)：

B01J 19/00 N ,  B01J 19/00 311 A ,  H01L 33/00 A ,  H01L 31/08 K

F-Term (18)：

4G075AA23 ,  4G075AA27 ,  4G075AA62 ,  4G075BA06 ,  4G075BB05 ,  4G075BD15 ,  4G075EB21 ,  5F041CA03 ,  5F041CA34 ,  5F041CA37 ,  5F041CA41 ,  5F041CA46 ,  5F041CA63 ,  5F041CA67 ,  5F088AB07 ,  5F088AB09 ,  5F088CB18 ,  5F088CB20