電界効果トランジスタ

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：後藤洋介 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995250571
Publication number (International publication number)：1997092819
Application date： Sep. 28, 1995
Publication date： Apr. 04, 1997
Summary：

【要約】【課題】 InGaAs動作層とInAlAs電子供給層を用いた電界効果トランジスタにおいて、熱的安定性に優れた構造を提供する。【解決手段】少なくとも一部にn型ドーパントが添加されたInAlAs電子供給層4を有する電界効果トランジスタである。InAlAs電子供給層4とゲート電極10との間には、In<SB>x </SB>Al<SB>y </SB>Ga<SB>1-x-y </SB>As保護層5(y<0.3)が設けられている。【効果】 Al組成の小さいIn<SB>1-x-y </SB>Al<SB>y </SB>Ga<SB>x </SB>As層5を導入することにより、外部からの不純物が、InAlAs電子供給層4中のn-InAlAs層に到達し、n型ドーパントを不活性化することを抑えることができる。したがって、ゲート電極10形成後の熱工程においても、素子特性の劣化を抑制することができる。

Claim (excerpt)：

少なくとも一部にn型ドーパントが添加されたInAlAs電子供給層を有する電界効果トランジスタにおいて、該InAlAs電子供給層とゲート電極との間にIn<SB>x </SB>Al<SB>y </SB>Ga<SB>1-x-y </SB>As保護層(y<0.3)が設けられたことを特徴とする電界効果トランジスタ。

IPC (4)：

H01L 29/778 , H01L 21/338 , H01L 29/812 , H01L 29/872

FI (3)：

H01L 29/80 H , H01L 29/48 F , H01L 29/48 H

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

高電子移動度トランジスタ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-228409 Applicant：日本電信電話株式会社
特開平2-295135
ヘテロ接合電界効果トランジスタ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-093806 Applicant：古河電気工業株式会社

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