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J-GLOBAL ID：200903066855956051

有機電子素子の製造方法、および、該製造方法により製造された有機電子素子

Inventor： 堀内 一永 ,  岡田 興昌 ,  丸山 達哉 ,  宮原 知子 ,  清水 正昭
Applicant, Patent owner： 富士ゼロックス株式会社
Agent (1)： 中島 淳 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000185816
Publication number (International publication number)：2002009290
Application date： Jun. 21, 2000
Publication date： Jan. 11, 2002
Summary：

【要約】【課題】 有機化合物の配向性を良好にさせることで、高性能な有機電子素子を得ることができ、さらには得られる有機電子素子に、軽量で柔軟性に富む等の優れた特性を付与させることも可能な有機電子素子の製造方法、および、該製造方法により製造された有機電子素子を提供すること。【解決手段】 有機半導体膜前駆体としての有機分子が選択的に良配向性を示す表面を有する基板1を選択し、基板1表面にソース電極2およびドレイン電極3を形成する電極形成工程と、これら両電極2,3に接触するように、基板1表面に前記有機分子の良配向性膜からなる有機半導体膜4を形成する半導体膜形成工程と、有機半導体膜4上に絶縁性膜5を形成する絶縁性膜形成工程と、該絶縁性膜5上にゲート電極6を形成するゲート電極形成工程と、を備えることを特徴とする有機電子素子の製造方法、および、該製造方法により製造された有機電子素子である。

Claim (excerpt)：

有機半導体膜ないし有機導電性膜前駆体としての有機分子が選択的に良配向性を示す表面を有する基板を選択し、該基板表面にソース電極およびドレイン電極を形成する電極形成工程と、これら両電極に接触するように、前記基板表面に前記有機分子の良配向性膜からなる有機半導体膜ないし有機導電性膜を形成する半導体膜等形成工程と、該有機半導体膜ないし有機導電性膜上に絶縁性膜を形成する絶縁性膜形成工程と、該絶縁性膜上にゲート電極を形成するゲート電極形成工程と、を備えることを特徴とする有機電子素子の製造方法。

IPC (5)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/363 ,  H01L 21/365 ,  H01L 51/00 ,  H01L 21/336

FI (6)：

H01L 21/363 ,  H01L 21/365 ,  H01L 29/78 618 B ,  H01L 29/28 ,  H01L 29/78 626 C ,  H01L 29/78 627 D

F-Term (59)：

5F045AA03 ,  5F045AB40 ,  5F045AF07 ,  5F045BB16 ,  5F045DA61 ,  5F103AA01 ,  5F103AA02 ,  5F103AA04 ,  5F103AA06 ,  5F103AA08 ,  5F103DD25 ,  5F103GG01 ,  5F103LL07 ,  5F103RR05 ,  5F110AA30 ,  5F110CC05 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD06 ,  5F110DD12 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE07 ,  5F110EE08 ,  5F110EE09 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF27 ,  5F110FF29 ,  5F110FF30 ,  5F110GG05 ,  5F110GG12 ,  5F110GG24 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110GG44 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK07 ,  5F110HK09 ,  5F110HK14 ,  5F110HK16 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110HK34 ,  5F110QQ16