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J-GLOBAL ID：200903066856628937

ダミーウェハー

Inventor： 辰巳 良昭 ,  宮下 欣也
Applicant, Patent owner： 辰巳 良昭 ,  宮下 欣也
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997218897
Publication number (International publication number)：1999029880
Application date： Jul. 09, 1997
Publication date： Feb. 02, 1999
Summary：

【要約】【目的】本発明は、半導体デバイスの製造工程で使用されるダミーウェハーに関するものであり、さらに詳しくは高耐久性・高機能性を有する絶縁材料上に導電層を形成することにより、静電チャックによる吸着が可能なダミーウェハーを提供することを目的とする。【構成】窒化アルミニウム、アルミナ、または石英のいずれかの絶縁体からなる基板?@の片面上に、シリコン、炭化ケイ素、アモルファスカーボン、またはD.L.C.(ダイヤモンド・ライク・カーボン)のいずれかよりなる導電層?Aを形成したことを特徴とする。

Claim (excerpt)：

絶縁体からなる基板の片面上に導電膜を形成したことを特徴とするダミーウェハー。

IPC (4)：

C23C 30/00 ,  C30B 33/00 ,  H01L 21/02 ,  H01L 21/68

FI (4)：

C23C 30/00 C ,  C30B 33/00 ,  H01L 21/02 B ,  H01L 21/68 R