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J-GLOBAL ID：200903066858510062

面発光半導体レーザ

Inventor： 笠原 健一
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 岩佐 義幸
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993010577
Publication number (International publication number)：1994224515
Application date： Jan. 26, 1993
Publication date： Aug. 12, 1994
Summary：

【要約】【目的】 面発光半導体レーザの偏波面を一方向に制御できる面発光半導体レーザを提供する。【構成】 メサのx軸方向、y軸方向の側壁に、異なる温度でSiN膜を、堆積する。この場合、x軸方向の側壁のSiN膜191を、y方向の側壁のSiN膜192よりも高い温度で堆積する。SiNの熱膨張係数は、GaAs系半導体のそれよりも小さいので、室温では活性層に対するx軸方向への引っ張り応力がy軸方向よりも大きくなる。その結果、y軸方向に偏波面が揃う。

Claim (excerpt)：

第一導伝型の第1クラッド層、活性層、第二導伝型の第2クラッド層を含むメサ構造を半導体基板上に有し、基板と垂直方向に光を出す面発光半導体レーザにおいて、対向する一組の前記メサの側面に第1の温度条件で形成された第1の絶縁膜を有し、前記一組の側面とは別の一組の前記メサの側面に、前記第1の温度条件とは異なる温度条件で形成された第2の絶縁膜を有することを特徴とする面発光半導体レーザ。