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J-GLOBAL ID：200903066858629132
シリコン窒化膜のエッチング方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992349325
Publication number (International publication number)：1994204192
Application date： Dec. 28, 1992
Publication date： Jul. 22, 1994
Summary：
【要約】【目的】シリコン基体やシリコン酸化膜に対してシリコン窒化膜を選択的にエッチング除去できるシリコン窒化膜の処理方法を提供すること。【構成】シリコン基板11上に形成されたシリコン窒化膜12をエッチング除去する際に、シリコン基板11が収容されたチェンバとは別領域の放電管で生成されたCF4 とO2 との混合ガスのラジカル並びにH2 Oとを上記チェンバ内に導入し、シリコン基板11に対してシリコン窒化膜12を選択的にエッチング除去することを特徴とする。
Claim (excerpt)：
シリコン基体上に形成されたシリコン窒化膜の一部又はその全てをエッチング除去する際に、前記シリコン基体が収容されている領域とは別の領域で生成されたフッ素と水素と酸素とのうちの少なくとも1つのラジカルを含む第1のガスと、フッ素と水素と酸素とのうち前記ラジカル以外の元素を少なくとも含む第2のガスとを、前記シリコン基体が収容されている領域に導入することにより、前記シリコン窒化膜の一部又はその全てを前記シリコン基体に対して選択的にエッチング除去することを特徴とするシリコン窒化膜のエッチング方法。
Patent cited by the Patent：
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