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J-GLOBAL ID：200903066865202551
特に電気的消去書込み可能な読み出し専用メモリセルにおいて薄い酸化物部分を形成する方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
本多 小平 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992330492
Publication number (International publication number)：1993259467
Application date： Dec. 10, 1992
Publication date： Oct. 08, 1993
Summary：
【要約】【目的】 従来のEEPROMセルに関しての問題点を実質的に解消あるいは減少することであり、特に、ホトリトグラフィクプロセスによって制限されることに関する問題を実質的に減少し、また解消し得るようなEEPROMセルに適用される薄い酸化物構造を作成する方法を提供することである。【構成】 電気的消去書込み可能な読み出し専用メモリセルの薄い酸化物部分を形成する方法において、用いられたホトリトグラフィク方法の分解能よりも小さい寸法を有するトンネル部分を得る為に、強酸化効果及び強ド-ピングの横方向の拡散を用いる。【効果】 セルの容量性結合に有益であり、またセルの全体の大きさを縮小することができる。
Claim (excerpt)：
電気的消去書込み可能な読み出し専用メモリセルのド-ピングされたシリコン基層にゲ-ト酸化物を成長させることにより活性領域を形成する準備工程と;デバイスに放射線感知材料の層を付着させた後マスクし、溶解性部分を除去し保護部分を前記活性領域に残し、また電気的消去書込み可能な読み出し専用メモリセルの各々を規定するゲ-ト酸化物上にも保護部分を残す第一のデポジション工程と;前記メモリセルの前記活性領域に強ド-ピングを施す第一のド-ピング工程と;前記活性領域並びに前記ゲ-ト酸化物から放射線感知材料の前記保護部分を除去する第一のクリ-ニング工程と;強ド-ピングを施されたドレインを拡散する拡散工程と;前記活性領域にゲ-ト酸化物層を成長させる第一の成長工程と;デバイスに放射線感知材料の層を付着させた後マスクし、溶解性部分を除去し前記セルの活性領域の中心部分を形成する第二のデポジション工程と;前記メモリセルの各々の前記活性領域に弱ド-ピングを施す第二のド-ピング工程と;前記第二のデポジション工程の段階で露呈した部分から前記ゲ-ト酸化物を除去するエッチング工程と;放射線感知材料の前記保護部分を除去する第二のクリ-ニング工程と;前記活性領域に更なる酸化物層を成長させる第二の成長工程と;デバイスにポリシリコンの層を付着させた後マスクし、一部分をエッチングにより除去しフロ-ティングゲ-ト電極を形成させる第三のデポジション工程;とを含むことを特徴とする特に電気的消去書込み可能な読み出し専用メモリセルにおける薄い酸化物部分を形成する方法
IPC (2)：
H01L 29/788
, H01L 29/792
