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J-GLOBAL ID：200903066868484906

半導体装置作製方法

Inventor： 大谷 久 ,  宮永 昭治 ,  張 宏勇 ,  山口 直明 ,  鈴木 敦則
Applicant, Patent owner： 株式会社半導体エネルギー研究所 ,  シャープ株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999317554
Publication number (International publication number)：2000138167
Application date： Dec. 01, 1993
Publication date： May. 16, 2000
Summary：

【要約】【課題】 高い特性を有する半導体装置の作製方法を提供する。【解決手段】 基板上方に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜に接して非晶質の珪素膜を形成する工程と、前記珪素膜に結晶化を助長する物質を接する工程と、前記接する工程の後に前記珪素膜を加熱する工程と、を有することを特徴とする。

Claim (excerpt)：

基板上方に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜に接して非晶質の珪素膜を形成する工程と、前記珪素膜に結晶化を助長する物質を接する工程と、前記接する工程の後に前記珪素膜を加熱する工程と、を有することを特徴とする半導体装置作製方法。

IPC (5)：

H01L 21/20 ,  G02F 1/1365 ,  H01L 21/268 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (4)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/268 F ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 29/78 627 G

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (9)

• 特開平2-260524
  
• 特開平3-280420
  
• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-229120   Applicant：沖電気工業株式会社
• 特開平2-140915
  
• 特開昭63-060518
  
• 特開平1-103825
  
• 特開平2-228043
  
• 半導体作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-294633   Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
• 半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-166117   Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所