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J-GLOBAL ID：200903066876508296

半導体装置とその製造方法

Inventor： 田口 昇
Applicant, Patent owner： シチズン時計株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000135374
Publication number (International publication number)：2001319940
Application date： May. 09, 2000
Publication date： Nov. 16, 2001
Summary：

【要約】【課題】 半導体装置を回路基板に電気的および機械的な接続を行う突起電極の構造およびその製造方法に関して半導体基板の大口径化に対応するためには製造工程上必要な高額な装置を全て変更しなくてはならず莫大な設備投資が必要となっていた。高額な設備を必要としないで半導体基板の大口径化に対応した製造工程および高密度でしかも高信頼性である半導体装置を安価で提供する。【解決手段】 感光性樹脂20上に遮光膜30を形成し、感光性樹脂20の露光現像を行って電極パッド14に開口部を形成し、無電解めっき法を用いて突起電極22および突起電極22表面を覆うように酸化防止膜24を形成する半導体装置およびその製造方法。

Claim (excerpt)：

電極パッド上の周縁部に開口部を有する絶縁膜と、その電極パッド上に設けるめっき前処理層と、そのめっき前処理層上に設ける突起電極とを有することを特徴とする半導体装置。

FI (3)：

H01L 21/92 602 F ,  H01L 21/92 603 B ,  H01L 21/92 604 B