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J-GLOBAL ID：200903066887186746
半導体ウェーハーの研磨方法及び研磨剤
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000311504
Publication number (International publication number)：2001150334
Application date： Feb. 04, 1994
Publication date： Jun. 05, 2001
Summary：
【要約】【課題】 コロイダルシリカで半導体ウェーハーを鏡面状にまで研磨する方法において、研磨速度を著しく向上せしめる如き研磨方法及び研磨剤を提供すること。【解決手段】 7〜1000 nm の長径と0.3〜0.8 の短径/長径を有する歪な形状を有するコロイダルシリカからなる研磨剤で半導体ウェーハーを研磨する方法、及びその研磨剤。
Claim (excerpt)：
7〜1000 nm の長径と 0.3〜0.8 の短径/長径比を有するコロイダルシリカ粒子の数が全粒子中50%以上を占めるコロイダルシリカで研磨することを特徴とする半導体ウェーハーの研磨方法。
IPC (4)：
B24B 37/00
, B24B 57/02
, C09K 3/14 550
, H01L 21/304 622
B24B 37/00 H
, B24B 57/02
, C09K 3/14 550 D
, H01L 21/304 622 B
