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J-GLOBAL ID：200903066889630163

半導体装置

Inventor： 大田 英明
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992010448
Publication number (International publication number)：1994089893
Application date： Jan. 24, 1992
Publication date： Mar. 29, 1994
Summary：

【要約】【目的】プラズマ窒化膜を用いた層間絶縁膜は、平坦性をよくするために膜厚を厚くするとその内部応力が大きくなるために亀裂が入りやすくなる。よって内部応力の低減化を図り、層間絶縁膜を厚くできるようにする。【構成】層間絶縁膜の構成をプラズマ窒化膜や酸化珪素膜というように内部応力が引張り応力と圧縮応力である絶縁膜を2層以上積層形成して内部応力の低減化を行なう。

Claim (excerpt)：

絶縁膜として内部応力が引張り応力と圧縮応力の応力のかかる方向の異なる2種類の絶縁物を用いたことを特徴とする半導体装置

IPC (4)：

H01L 21/314 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/318 ,  H01L 21/90

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開昭61-154133
  
• 特開平1-207932
  
• 特開昭61-279132
  
• 特開昭62-137855