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J-GLOBAL ID:200903066891628451

ダイオキシン類の生成防止方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 重野 剛
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1997159739
Publication number (International publication number):1999005019
Application date: Jun. 17, 1997
Publication date: Jan. 12, 1999
Summary:
【要約】【課題】 焼却炉排ガス中のダイオキシン濃度を低減する。集塵手段におけるダイオキシンの生成を防止する。【解決手段】 ダイオキシン前駆体及び飛灰を含む焼却炉排ガスに、アミン化合物、アンモニア、アンモニウム塩及びアルカリ金属化合物よりなる群から選ばれる1種又は2種以上のダイオキシン生成反応抑制剤と活性炭を添加してダイオキシン類の生成を防止する。排ガス温度300〜750°Cの条件下にダイオキシン生成反応抑制剤を添加し、排ガス温度200〜500°Cの条件下に活性炭を添加し、次いで集塵する。【効果】 排ガスがダイオキシン生成温度に降温する前に、飛灰をダイオキシン生成反応抑制剤でコーティングして触媒能を低減させ、ダイオキシン生成温度にまで降温したときに生じたダイオキシンは活性炭で吸着除去する。
Claim (excerpt):
ダイオキシン前駆体及び飛灰を含む焼却炉排ガスに、アミン化合物、アンモニア、アンモニウム塩及びアルカリ金属化合物よりなる群から選ばれる1種又は2種以上のダイオキシン生成反応抑制剤と活性炭を添加してダイオキシン類の生成を防止する方法であって、該排ガスの温度が300〜750°Cの条件下にて該ダイオキシン生成反応抑制剤を添加し、該排ガスの温度が200〜500°Cの条件下にて活性炭を添加し、次いで集塵することを特徴とするダイオキシン類の生成防止方法。
IPC (3):
B01D 53/70 ,  A62D 3/00 ZAB ,  B01D 53/34 ZAB
FI (3):
B01D 53/34 134 E ,  A62D 3/00 ZAB ,  B01D 53/34 ZAB
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (4)
  • 特開平4-250817
  • 特開昭63-023717
  • 特開平4-250817
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