Pat

J-GLOBAL ID：200903066893268002

デバイス製造方法

Inventor： 福井 哲朗 ,  香川 豊
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社 ,  香川 豊
Agent (1)： 阪本 善朗
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002115803
Publication number (International publication number)：2003309301
Application date： Apr. 18, 2002
Publication date： Oct. 31, 2003
Summary：

【要約】【課題】 成膜温度に高温が必要な材料を耐熱温度が低い基板上に配設することを可能にし、大面積となっても均一性が良くかつ良好なデバイスを作製できるデバイス製造方法を提供する。【解決手段】 耐熱温度が高いセラミックス基板等の第一の基板1上に、少なくともアルミナが主成分の層とジルコニアが主成分の層を含む積層構造からなる容易に剥離可能な易剥離層2を成膜し、その上に高温でのみ作製可能な圧電膜等の造形物3を形成する。SiまたはTiからなる第二の基板5を第一の基板1に形成された造形物3に接合層6a、6bを介して当接させ、これらを加熱および加圧して接合する。その後に、第一の基板1と造形物3(および電極4)との間の易剥離層2を機械的に破壊することにより不要な第一の基板1を剥離し、第二の基板5上に造形物3を転写して、圧電膜型素子等のデバイスを作製する。

Claim (excerpt)：

第一の基板上に形成した造形物に第二の基板を接合し、第一の基板を造形物から剥離して、造形物を第二の基板に転写することにより、デバイスを作製するデバイス製造方法であって、第一の基板と造形物の間に2種類以上のセラミックスで容易に剥離可能な易剥離層が設けられており、前記易剥離層が少なくともアルミナが主成分の層とジルコニアが主成分の層を含むことを特徴とするデバイス製造方法。