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J-GLOBAL ID：200903066896711470

太陽電池素子の製造方法

Inventor： 藤井 修一 ,  福井 健次 ,  白沢 勝彦
Applicant, Patent owner： 京セラ株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998017088
Publication number (International publication number)：1999214723
Application date： Jan. 29, 1998
Publication date： Aug. 06, 1999
Summary：

【要約】【課題】 浅いN層上に電極を形成すると電極材料中のガラスフフリットがN層中に侵入してN層を突き抜け、太陽電池を形成した場合にリーク電流が発生するという問題があった。【解決手段】 P型シリコン基板の一主面側にN層と表面電極を形成すると共に、他の主面側に裏面電極を形成する太陽電池素子の製造方法において、前記シリコン基板の一主面側にN層を形成する際に生成する燐ガラス層を残したまま電極材料を塗布して焼き付けることによって前記表面電極を形成する。

Claim (excerpt)：

P型シリコン基板の一主面側にN層と表面電極を形成すると共に、他の主面側に裏面電極を形成する太陽電池素子の製造方法において、前記シリコン基板の一主面側にN層を形成する際に生成する燐ガラス層を残したまま電極材料を塗布して焼き付けることによって前記表面電極を形成することを特徴とする太陽電池素子の製造方法。