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J-GLOBAL ID:200903066900598110

電界効果型トランジスタ並びにそれを用いた液晶表示装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 高橋 明夫 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1993076693
Publication number (International publication number):1994291312
Application date: Apr. 02, 1993
Publication date: Oct. 18, 1994
Summary:
【要約】【目的】大面積基板上に同時に均一に作製でき、またゲートに印加する電圧によってソース・ドレイン間電流を大きく変調させることができ、かつ、その動作が安定で、素子の寿命も長い電界効果型トランジスタの提供。【構成】ソース電極4とドレイン電極5間の電流通路である半導体層8の導電性を絶縁層3を介して設けられたゲート電極2によって制御する電界効果型トランジスタにおいて、前記半導体層8がアザフタロシアニン、フタロシアニ、ナフタロシアニン誘導体で代表されるポリ大環状アザアヌレン系有機化合物により形成されていることを特徴とする電界効果型トランジスタ。
Claim (excerpt):
ソース電極とドレイン電極間の電流通路である半導体層の導電性を絶縁層を介して設けられたゲート電極によって制御する電界効果型トランジスタにおいて、前記半導体層がポリ大環状アザアヌレン系有機化合物により形成されていることを特徴とする電界効果型トランジスタ。
IPC (4):
H01L 29/784 ,  C07D487/22 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 29/28

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