Pat
J-GLOBAL ID：200903066900948855
高耐圧半導体素子
Inventor：
,
,
,
,
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993159496
Publication number (International publication number)：1994318714
Application date： Jun. 29, 1993
Publication date： Nov. 15, 1994
Summary：
【要約】【目的】 薄い活性層で十分な高耐圧特性を得ることを可能とした誘電体分離構造の高耐圧半導体素子を提供すること。【構成】 半導体基板10上にシリコン酸化膜11を介して高抵抗のn- 型シリコン層からなる活性層12を形成し、このシリコン活性層12に所定距離おいてn型の不純物層14及びp型の不純物層13を形成してなる高耐圧半導体素子において、n型不純物層14を、拡散窓の幅及び拡散深さの異なる2重以上の拡散層14a,14b,14cで形成すると共に、該拡散層14をシリコン酸化膜11に達する深さまで形成し、かつ不純物層13,14間において活性層12上に高抵抗体膜18を形成したことを特徴とする。
Claim (excerpt)：
半導体基板と、この基板上に絶縁膜を介して形成された、高抵抗の第1導電型半導体からなる活性層と、この活性層に所定距離おいて形成された第1導電型の不純物層及び第2導電型の不純物層とを具備してなり、前記第1導電型の不純物層は、拡散窓の幅又は拡散深さの少なくとも一方が異なる2重以上の拡散層であることを特徴とする高耐圧半導体素子。
IPC (2)：
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (6)
Show all
Cited by examiner (6)
Show all
Return to Previous Page
