半導体部材の製造方法および半導体部材

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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：山下穣平
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997310331
Publication number (International publication number)：1998200079
Application date： Nov. 12, 1997
Publication date： Jul. 31, 1998
Summary：

【要約】【課題】多層構造体を多孔質層で良好、簡易に分離するのが困難。【解決手段】多孔質シリコン層12を有するシリコン基板の多孔質シリコン層12上に非多孔質半導体層13が配された第1の基体11を用意する工程、第1の基体11と第2の基体14とを非多孔質半導体層13が内側に位置する多層構造体が得られるように貼り合わせる工程、多層構造体を加熱することにより多孔質シリコン層12において多層構造体を分離する工程、分離された第2の基体14側に残った多孔質シリコン層12を除去する工程、とを有する。さらに分離された第1の基体11側に残った多孔質シリコン層12を除去して得られる基体を第1の基体11または第2の基体14の原料材として使用する工程、を有する。

Claim (excerpt)：

多孔質シリコン層を有するシリコン基板の前記多孔質シリコン層上に非多孔質半導体層が配された第1の基体を用意する工程、前記第1の基体と第2の基体とを前記非多孔質半導体層が内側に位置する多層構造体が得られるように貼り合わせる工程、前記多層構造体を加熱することにより前記多孔質シリコン層において前記多層構造体を分離する工程、前記分離された第2の基体側に残った多孔質シリコン層を除去する工程、とを有することを特徴とする半導体部材の製造方法。

IPC (3)：

H01L 27/12 , H01L 21/02 , H01L 21/20

FI (3)：

H01L 27/12 B , H01L 21/02 B , H01L 21/20

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

半導体基板の作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-045441 Applicant：キヤノン株式会社
薄い半導体材料フィルムの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-246594 Applicant：コミサリヤ・ア・レネルジ・アトミク
半導体板形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-010980 Applicant：コミツサリアタレネルジーアトミーク

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