Pat

J-GLOBAL ID：200903066923236194

アクティブマトリックス表示素子

Inventor： 高田 仁
Applicant, Patent owner： エイ・ジー・テクノロジー株式会社
Agent (1)： 泉名 謙治
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994201116
Publication number (International publication number)：1996062579
Application date： Aug. 25, 1994
Publication date： Mar. 08, 1996
Summary：

【要約】【目的】高品位の表示を得る。【構成】ガラス基板9上に遮光膜8、絶縁膜7、多結晶シリコン層5のチャネル、ゲート絶縁膜2、ゲート電極1が形成され、またソース電極3、ドレイン電極4が形成された多結晶シリコンTFT30が設けられたアクティブマトリクス表示素子であって、遮光膜8が導電性とされ、遮光膜にゲート選択電位より低く、かつゲート非選択電位より高い電位が印加されてなることを特徴とするアクティブマトリックス表示素子。【効果】多結晶シリコンTFTの裏面側遮光を達成し、かつチャネル裏面側の寄生容量に起因するリーク電流を低減せしめる。

Claim (excerpt)：

画素電極と、画素電極を駆動する駆動素子としてトップゲート型の多結晶半導体TFTが備えられた第1の基板と、第2の基板との間に光制御層が備えられ、第1の基板と多結晶半導体TFTのチャネルとの間に絶縁膜と導電性の遮光膜とが設けられ、前記絶縁膜は前記チャネルと前記遮光膜との間に配置されたアクティブマトリックス表示素子であって、前記遮光膜にゲート選択電位より低く、かつゲート非選択電位より高い、遮光膜電位が印加されてなることを特徴とするアクティブマトリックス表示素子。

IPC (3)：

G02F 1/133 550 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 29/786