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J-GLOBAL ID：200903066946247266

化学蒸着法による炭化ケイ素成形体及びその製造方法

Inventor： 平野 博之
Applicant, Patent owner： 東洋炭素株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994340993
Publication number (International publication number)：1996188408
Application date： Dec. 29, 1994
Publication date： Jul. 23, 1996
Summary：

【要約】【目的】 本発明は、き裂や反りを抑えたCVD-SiC成形体及びその製造方法を提供することを目的とする。【構成】 本発明は、CVD法により形成されたSiC基板の両面に、SiC膜を有する、CVD法によるSiC成形体である。また、その製造方法は、基体の表面にCVD法によりSiC膜を形成し、前記基体を除去して得られたSiC基板の両面に、更にSiC膜を形成することを特徴とする、CVD法によるSiC成形体の製造方法である。

Claim (excerpt)：

化学蒸着法により形成された炭化ケイ素基板の両面に、炭化ケイ素膜を有する、化学蒸着法による炭化ケイ素成形体。

IPC (8)：

C01B 31/36 ,  B01J 19/00 ,  C04B 35/565 ,  C23C 16/32 ,  C23C 16/42 ,  C23C 16/56 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/205