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J-GLOBAL ID：200903066949233410

ドライエッチング方法

Inventor： 柳田 敏治
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 小池 晃 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992170980
Publication number (International publication number)：1994013351
Application date： Jun. 29, 1992
Publication date： Jan. 21, 1994
Summary：

【要約】【目的】 SiO2 層間絶縁膜に微細な接続孔を開口する際の選択性を、パーティクル汚染を防止しながら向上させる。【構成】 フルオロカーボン側鎖を有するメルカプタン、チオエーテル、ジスルフィドのいずれかをエッチング・ガスの主成分として用いる。これらの化合物は、放電解離条件下でCFx + とSを生成でき、それぞれ高速エッチングとウェハの表面保護に寄与する。エッチング・ガスにCO,SOF2 ,NOF等のハロゲン化合物を添加すれば、SiO2 からのO原子引き抜きによるエッチング反応の高速化と、炭素系ポリマーの構造強化が可能となる。また、S2 F2 を添加してSの堆積を増強することもできる。これらは、高選択加工に必要なポリマー堆積量を低減させることにつながり、プロセスの低汚染化に大きく寄与する。

Claim (excerpt)：

フルオロカーボン側鎖を有するメルカプタン、フルオロカーボン側鎖を有するチオエーテル、フルオロカーボン側鎖を有するジスルフィドから選ばれる少なくとも1種類の化合物を含むエッチング・ガスを用いてシリコン化合物層をエッチングすることを特徴とするドライエッチング方法。