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J-GLOBAL ID：200903066962028108
プラズマ処理用高周波誘導プラズマ源装置
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
浅村 皓 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994210340
Publication number (International publication number)：1996008095
Application date： Aug. 01, 1994
Publication date： Jan. 12, 1996
Summary：
【要約】【目的】 構成要素数を減少し、電力効率を向上し、動作条件の広い範囲にわたり均一なかつ高密度のプラズマを発生し、現存半導体処理機器内へ統合化可能な高周波プラズマ源装置を提供とする。【構成】 プラズマ源装置10は、プラズマを収容する室14と室14の内側に配置された複数のコイル12を含む。室14の外部に配置されて、室14の軸に沿って前記プラズマ中に磁界を確立するように動作する複数の永久磁石34と室14の外側に配置された1組の電磁石36あり、電磁石36は室14内のホイスラー波の好適伝搬方向を規定する。コイル12は、前記プラズマ中にプラズマ状態を誘導するために前記プラズマに充分な量のエネルギーを転送するように前記ホイスラー波に高周波電力を共振誘導結合する。コイル12は、また、前記プラズマ中にプラズマ状態を持続させる時変電磁界を発生する。
Claim (excerpt)：
プラズマ発生用プラズマ源装置であって、前記プラズマとプロセスガスとを閉じ込めるように動作する室と、前記室内にホイスラー波を発生するように動作するコイルと、前記室の外側に配置された少なくとも1組の電磁石であって、前記電磁石が前記室内の前記ホイスラー波の好適伝搬方向を規定するように動作する、少なくとも前記1組の電磁石とを含み、前記コイルは前記ホイスラー波を励磁するために前記ホイスラー波に高周波電力を誘導結合し、かつ前記プロセスガス中にプラズマ状態を誘導するために前記室内の前記プロセスガスに充分な量のエネルギーを転送するように更に動作する、プラズマ源装置。
IPC (2)：
Patent cited by the Patent：
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