Pat
J-GLOBAL ID：200903066972359269
半導体装置およびその製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997148015
Publication number (International publication number)：1998335480
Application date： Jun. 05, 1997
Publication date： Dec. 18, 1998
Summary：
【要約】【課題】ゲート電極に不純物をイオン注入するCMOSトランジスタにおいて、PMOSトランジスタとNMOSトランジスタの各々を、ゲート電極の空乏化を防ぎつつ最適なトランジスタ特性で形成する。【解決手段】NMOSトランジスタのN+ ゲート電極10の厚さd1を、PMOSトランジスタのP+ ゲート電極12の厚さd2より薄く設定する。
Claim (excerpt)：
NMOSトランジスタとPMOSトランジスタとを有する半導体装置において、前記NMOSトランジスタのゲート電極と前記PMOSトランジスタのゲート電極との厚さが異なることを特徴とする半導体装置。
IPC (2)：
H01L 21/8238
, H01L 27/092
