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J-GLOBAL ID：200903066974895214

窒化物半導体レーザ素子

Inventor： 小崎 徳也 ,  中村 修二
Applicant, Patent owner： 日亜化学工業株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002262516
Publication number (International publication number)：2003115641
Application date： Sep. 10, 1999
Publication date： Apr. 18, 2003
Summary：

【要約】【課題】 ガイド層や活性層等の結晶性を向上させ、長波長のレーザ光を得ることができる窒化物半導体レーザ素子を提供することである。【解決手段】 n型クラッド層4及び/又はp型クラッド層9が、活性層6に接近するにつれて、Al組成が少なくなるように組成傾斜されているAlaGa1-aN(0≦a<1)を有する第1の窒化物半導体を含んでなり、前記活性層6が、InbGa1-bN(0≦b<1)を含んでなる量子井戸構造であり、n型ガイド層5及び/又はp型ガイド層8が、活性層6に接近するにつれて、Inの組成が多くなるように組成傾斜され、但しInの組成が活性層の井戸層のInの組成より少ないようにされているIndGa1-dN(0≦d<1)を有する第2の窒化物半導体を含んでなる。

Claim (excerpt)：

基板上に、少なくともn型クラッド層、n型ガイド層、活性層、p型ガイド層及びp型クラッド層を有する窒化物半導体レーザ素子において、前記n型及び/又はp型クラッド層が、活性層に接近するにつれて、Al組成が少なくなるように組成傾斜されているAlaGa1-aN(0≦a<1)を有する第1の窒化物半導体を含んでなり、前記活性層が、InbGa1-bN(0≦b<1)を含んでなる量子井戸構造であり、前記n型及び/又はp型ガイド層が、活性層に接近するにつれて、Inの組成が多くなるように組成傾斜され、但しInの組成が活性層の井戸層のInの組成より少ないようにされているIndGa1-dN(0≦d<1)を有する第2の窒化物半導体を含んでなることを特徴とする窒化物半導体レーザ素子。

F-Term (13)：

5F073AA13 ,  5F073AA74 ,  5F073AA83 ,  5F073CA07 ,  5F073CB05 ,  5F073CB08 ,  5F073CB19 ,  5F073DA05 ,  5F073DA07 ,  5F073DA16 ,  5F073DA24 ,  5F073DA32 ,  5F073DA33