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J-GLOBAL ID：200903066977021142

薄膜太陽電池およびその製造方法

Inventor： 野元 克彦 ,  梶原 慶 ,  三宮 仁 ,  山本 義宏
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 梅田 勝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994252604
Publication number (International publication number)：1996116080
Application date： Oct. 19, 1994
Publication date： May. 07, 1996
Summary：

【要約】【目的】 素子の拡散電位を増大させることによって解放電圧を向上させ、素子の光電変換効率を向上させた太陽電池およびその製造方法を提案する。【構成】 アモルファス太陽電池のp層に、結合水素量が13at%以上で、かつ微結晶相の体積率が65%から92%の範囲であるp型の微結晶相を含むシリコン薄膜(p型μc-Si:H)を用いる。また、このような特性をもつp型μc-Si:Hは、プラズマ化学気相成長装置を用いて、基板温度を150°Cから60°Cの範囲に制御することにより製造する。

Claim (excerpt)：

水素化アモルファスシリコン(a-Si:H)系薄膜(水素化アモルファスシリコンカーボン(a-SiC:H)、水素化アモルファスシリコンゲルマニウム(a-SiGe:H)を含む)からなるp層、i層、n層のpin接合を少なくとも一対有する薄膜太陽電池において、前記p層に結合水素量が13at%以上で、かつバルク構造(膜厚が100nm以上での膜構造)での微結晶相の体積率が65%から92%の範囲であるp型の微結晶相を含むシリコン薄膜(p型μc-Si:H)を用いることを特徴とする薄膜太陽電池。

IPC (4)：

H01L 31/04 ,  C23C 16/30 ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/205