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J-GLOBAL ID：200903066979009700

半導体ウェハ両面研磨装置

Inventor： 木村 毅 ,  富沢 憲治
Applicant, Patent owner： 三菱マテリアル株式会社
Agent (1)： 市村 健夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991326740
Publication number (International publication number)：1993169365
Application date： Nov. 15, 1991
Publication date： Jul. 09, 1993
Summary：

【要約】【目的】 半導体ウェハを精度の良い厚さに、且つ被加工物が少数であっても良好な平行度及び平坦度で両面研磨する。【構成】 上側研磨布と下側研磨布との間で半導体ウェハの両面同時研磨装置において、キャリアプレートに中子を保持するように構成した。【効果】 精度の良い厚さに、且つ少数であっても良好な平行度及び平坦度に研磨できる。

Claim (excerpt)：

キャリアプレートに保持された半導体ウェハを、上側研磨定盤に貼設された研磨布と下側研磨定盤に貼設された研磨布との間に配設し、該両研磨定盤を相対的に回転し、該両研磨布と該半導体ウェハとを摺動させて該半導体ウェハの両面を同時に研磨する半導体ウェハ両面研磨装置において、該キャリアプレートが該半導体ウェハを保持する孔と中子を保持する孔とを有し、該中子が該孔に挿入されて該半導体ウェハが研磨されることを特徴とする半導体ウェハ両面研磨装置。

IPC (2)：

B24B 37/04 ,  H01L 21/304 321

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開昭59-081057
  
• 特開昭64-071663