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J-GLOBAL ID：200903066981314359
発光ダイオード及びその製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993296513
Publication number (International publication number)：1995153991
Application date： Nov. 26, 1993
Publication date： Jun. 16, 1995
Summary：
【要約】【目的】発光ダイオードの発光効率を改善すること。【構成】n型GaAs基体1の(100)面にエピタキシャル成長したn型GaAs層2表面に凹凸を設け、その上にP型GaAsエピタキシャル層3aを液相エピタキシャル法により連続成長させる。屈折率の格子により、内部での光の反射、回折が起こり、外部に出やすくなる。
Claim (excerpt)：
表面に凹凸のある第1導電型半導体基板と、前記表面に接合する第2導電型半導体層とを有していることを特徴とする発光タイオード。
Patent cited by the Patent：
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