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J-GLOBAL ID：200903066984624600

分子エレクトロニクス用に分子を整列させるために1つまたは複数のナノポアを形成する方法

Inventor： テオドール・アイ・カミンズ ,  ヨン・チェン ,  パトリシア・エイ・ベック
Applicant, Patent owner： ヒューレット・パッカード・カンパニー
Agent (1)： 古谷 馨 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002363419
Publication number (International publication number)：2003218346
Application date： Dec. 16, 2002
Publication date： Jul. 31, 2003
Summary：

【要約】【課題】分子を整列させるために有用なナノポアを形成する手段を提供する。【解決手段】基板(10)に対して所定の配向を有する分子(18)または分子(18)のアレイを形成するための技法、または、材料(18)を内部に付着させるための型(16)を形成するための技法を開示する。分子(18)のアレイは、基板(10)内の小さな整列した孔(ナノポア)のアレイ、すなわち、型(16)の中に分子(18)を分散させることによって形成される。典型的には、ナノポア(16)が内部に形成される材料(14)は絶縁性である。下部にある基板(10)は導電性であっても絶縁性であってもよい。電子デバイスの用途では、基板(10)は一般に導電性であり、基板(10)をポア(16)の底部で露出させることができ、これによって、ナノポア(16)内の分子(18)の一方の端部を基板(10)に電気的に接触させることができる。単結晶シリコンウェーハのような基板(10)が特に都合がよい。

Claim (excerpt)：

分子電子装置用に少なくとも1つの分子(18)を整列させるための少なくとも1つのナノポア(16)を形成する方法、または材料(18)を堆積させるための型(16)を形成する方法であって、(a)第1の主面(10a)と、前記第1の主面(10a)に概ね平行な第2の主面(10b)とを有する基板(10)を設けるステップと、(b)前記第1の主面上に、少なくとも1つのナノ粒子(12)を含むエッチングマスクを形成するステップと、(c)下側にある前記基板(10)の部分をエッチングから保護するために前記エッチングマスクを用いて、前記第1の主面(10a)から前記第2の主面(10b)に向かって前記基板(10)を所定方向にエッチングし、それにより前記エッチングマスクの下に少なくとも1つの柱状体(110)を形成するステップと、(d)前記少なくとも1つの柱状体(110)の周囲を含む前記エッチングされた基板(10)上に絶縁性材料(14)の層を形成し、少なくとも部分的に前記少なくとも1つの柱状体(110)を覆うステップと、(e)前記少なくとも1つの柱状体(110)を除去して、前記絶縁性層(14)内に少なくとも1つの前記ナノポア(16)を残すステップを含む、方法。