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J-GLOBAL ID：200903066990496311
第二高調波発生装置
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
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Agent (1)：
大場 充
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993137028
Publication number (International publication number)：1994347848
Application date： Jun. 08, 1993
Publication date： Dec. 22, 1994
Summary：
【要約】【目的】 第二高調波発生装置において回折格子と半導体レーザだけで外部共振器を構成することで、安定な波長制御性をもつ第二高調波発生装置を実現する。【構成】 半導体レーザ1からの光をビームスプリッタ2により分離し、一方を第二高調波素子4に導き、もう一方で回折格子5と半導体レーザ1による外部共振器を構成することで波長を選択する。半導体レーザ1から出射された光はレンズ7で平行ビームとし30%以上を反射分離するビームスプリッタ2からリトロー配置された回折格子5に入射される。回折格子5の1次反射光が同じ光路を通って半導体レーザ1に戻される。分極反転格子12の周期に対応した位相整合波長に基本波波長が一致するように回折格子5の角度を調整し、第二高調波6を発生する。
Claim (excerpt)：
半導体レーザを基本波とする第二高調波発生装置において、少なくとも一方の端面を低反射端面とした半導体レーザに対してレーザ発振を起こす外部共振器を構成するための光学手段を持ち、第二高調波発生素子の位相整合条件を満足する発振波長の基本波を選択することを特徴とする第二高調波発生装置。
IPC (2)：
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