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J-GLOBAL ID：200903066995693328

受光素子およびその製造方法ならびに当該受光素子を用いた光モジュール

Inventor： 冨士原 潔
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 特許業務法人池内・佐藤アンドパートナーズ
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003028812
Publication number (International publication number)：2004241588
Application date： Feb. 05, 2003
Publication date： Aug. 26, 2004
Summary：

【課題】光吸収層で光を吸収することにより生じる再発光を抑制する、高性能な半導体受光素子およびその受光素子の製造方法ならびにその受光素子を用いた光モジュールを提供する。【解決手段】半導体基板101と光吸収層103と、受光部120を構成するpn接合109を有する受光層105とを備え、半導体基板101より上層に光吸収層103が配置され、光吸収層103より上層に受光層105が配置されていて、光吸収層103は、受光層105よりも吸収端波長が短く、光吸収層103は、非発光再結合中心となる元素を含んでいる。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

半導体基板と光吸収層と、受光部を構成するpn接合を有する受光層とを備え、 前記半導体基板より上層に前記光吸収層が配置され、 前記光吸収層より上層に前記受光層が配置されていて、 前記光吸収層は、前記受光層よりも吸収端波長が短く、 前記光吸収層は、非発光再結合中心となる元素を含んでいる、ことを特徴とする受光素子。

IPC (1)：

H01L31/10

FI (1)：

H01L31/10 A

F-Term (13)：

5F049MA03 ,  5F049MB07 ,  5F049MB11 ,  5F049NA04 ,  5F049NB01 ,  5F049PA11 ,  5F049QA06 ,  5F049QA17 ,  5F049RA10 ,  5F049SE05 ,  5F049SS04 ,  5F049SZ20 ,  5F049WA01