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J-GLOBAL ID：200903066996782316

半導体装置の製造方法

Inventor：
吉原 郁夫

About 吉原 郁夫


Applicant, Patent owner：
ソニー株式会社

About ソニー株式会社


Agent (1)： 山本 孝久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996227410
Publication number (International publication number)：1998056048
Application date： Aug. 09, 1996
Publication date： Feb. 24, 1998
Summary：
【要約】【課題】製造ラインにおいて製造すべき半導体装置の数量を最適化し得る半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】半導体装置の製造方法は、(イ)半導体装置におけるトランジスタ素子のゲート電極形成工程において、ゲート長を測定し、(ロ)予め求められたゲート長と製品収率の関係、及び測定されたゲート長に基づき、製品収率を予測し、(ハ)予測された製品収率に基づき、最終的に製造されるであろう半導体装置の予測個数を求める各工程を含む。
Claim (excerpt)：
(イ)半導体装置におけるトランジスタ素子のゲート電極形成工程において、ゲート長を測定し、(ロ)予め求められたゲート長と製品収率の関係、及び測定されたゲート長に基づき、製品収率を予測し、(ハ)予測された製品収率に基づき、最終的に製造されるであろう半導体装置の予測個数を求める、各工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2)：
H01L 21/66 ,  H01L 21/02
FI (4)：
H01L 21/66 Z ,  H01L 21/66 J ,  H01L 21/66 P ,  H01L 21/02 Z
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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