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J-GLOBAL ID：200903067004303213

多孔質半導体の作成方法及び多孔質半導体基板

Inventor： 河東田 隆
Applicant, Patent owner： 河東田 隆
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992091972
Publication number (International publication number)：1993267270
Application date： Mar. 18, 1992
Publication date： Oct. 15, 1993
Summary：

【要約】【目的】 多結晶半導体を用いて多孔質半導体を作成する方法を提供する。【構成】 多結晶シリコンをフッ化水素酸と硝酸と酢酸から構成されるエッチング液に浸漬してエッチングを行う。エッチングは、多結晶シリコンの粒界(grain boundary)に沿って奥へ進むため、エッチング時間を適宜選定することにより、基板上に多数の結晶柱がわずかな間隔をおいて立ち並んだ状態の多孔質シリコンが形成される。エッチングに先立って、酸化処理を施すようにしても良い。

Claim (excerpt)：

多結晶半導体の表面から結晶の粒界に沿ってエッチングを行うことにより、表面に多数の結晶柱を形成することを特徴とする多孔質半導体の作成方法

IPC (2)：

H01L 21/306 ,  H01L 21/02

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開昭63-045385
  
• 特開昭53-030278
  
• 特開昭61-163286
  
• 特開平4-286152