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J-GLOBAL ID：200903067007327776

トンネリング磁気抵抗効果素子およびその製造方法

Inventor： 山崎 篤志 ,  沢崎 立雄 ,  田ノ上 修二
Applicant, Patent owner： 住友金属工業株式会社
Agent (1)： 穂上 照忠 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998173695
Publication number (International publication number)：2000011333
Application date： Jun. 19, 1998
Publication date： Jan. 14, 2000
Summary：

【要約】【課題】トンネリング磁気抵抗効果素子において、安定して高い磁気抵抗効果を実現させ、高MR比の素子を製造する方法を提供する。【解決手段】(1)基板側より順に第一の強磁性体層、絶縁体層および第二の強磁性体層の積層体、またはこれにさらに反強磁性体層が付加された積層体の、絶縁体層接合部のトンネル効果を利用する磁気抵抗効果素子において、第一の強磁性体層の絶縁体層が接合される面の表面粗さRaの値が、2.5Å以下である素子、または積層体を形成させる基板面にアモルファス非磁性金属を存在させた上記の素子。(2)第一の強磁性体層の絶縁体層を形成させる面の粗さを、Raにて2.5Å以下とする上記素子の製造方法。または、基板上にアモルファス非磁性金属を形成させた後、第一の強磁性体層を形成させるか、第一の強磁性体層をスパッタ法にて基板上に形成させる上記素子の製造方法。(3)上記素子を読み出し部とする磁気ヘッド。

Claim (excerpt)：

基板側より順に、第一の強磁性体層、絶縁体層、および第二の強磁性体層の積層体からなる絶縁体層接合部のトンネル効果を利用する磁気抵抗効果素子であって、第一の強磁性体層の絶縁体層が接合される面の表面粗さRaの値が、2.5Å以下であることを特徴とするトンネリング磁気抵抗効果素子。

F-Term (4)：

5D034BA03 ,  5D034BA19 ,  5D034BA21 ,  5D034DA07