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J-GLOBAL ID:200903067008627811
電子デバイスの絶縁エレメントとして使用される低誘電率の材料
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
石田 敬 (外3名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1996295888
Publication number (International publication number):1997181066
Application date: Oct. 18, 1996
Publication date: Jul. 11, 1997
Summary:
【要約】【課題】 高性能集積回路に必要な極めて低い誘電率を有し、熱的・機械的安定性を有し、加工が容易な電子デバイスの中間層誘電体を提供する。【解決手段】 集積回路構造体の誘電体エレメントとして使用され、420°Cで0.15%/分未満の重量減少と、5μm未満の厚さを有するフルオロポリマー又はフッ化ポリマー材料を含む誘電体材料であり、また、この誘電体エレメントを備えた電子デバイスである。好ましくは、フルオロポリマー又はフッ化ポリマーの誘電体エレメントが約1.9〜約2.2の範囲の誘電率を有し、厚さが1.5μm未満であり、重量減少が420°Cで0.01%/分未満であり、フルオロポリマーがテトラフルオロエチレンのホモポリマー又はテトラフルオロエチレンのコポリマーである。フルオロポリマー又はフッ化ポリマーが酸化防止剤、及び二酸化ケイ素をさらに含み、多孔質であることもできる。
Claim (excerpt):
420°Cで0.15%/分未満の重量減少と、5μm未満の厚さを有するフルオロポリマーの誘電性エレメントを備えたことを特徴とする改良された電子デバイス。
IPC (3):
H01L 21/312
, C08K 3/36
, C08L 27/12 KJF
FI (3):
H01L 21/312 A
, C08K 3/36
, C08L 27/12 KJF
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