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J-GLOBAL ID：200903067026263002

磁気抵抗効果素子

Inventor： 恒川 孝二 ,  ダビッド ジャヤプラウィラ
Applicant, Patent owner： キヤノンアネルバ株式会社
Agent (1)： 田宮 寛祉
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005279559
Publication number (International publication number)：2007095750
Application date： Sep. 27, 2005
Publication date： Apr. 12, 2007
Summary：

【課題】 高いMR比を維持したまま磁歪定数ゼロ付近で磁歪定数が急峻に変化することがなく、所望の磁歪定数を安定して得ることができる磁気抵抗効果素子を提供する。【解決手段】 この磁気抵抗効果素子10は、固定強磁性層と自由強磁性層とこれらの強磁性層によって挟まれたバリア層を有する磁気抵抗効果素子であり、自由強磁性層に、ホウ素Bの添加量(b:原子%)が21%≦b≦23%であるCoFeBを用いるように構成される。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

固定強磁性層と自由強磁性層とこれらの強磁性層によって挟まれたバリア層を有する磁気抵抗効果素子であって、前記自由強磁性層に、ホウ素Bの添加量(b:原子%)が21%≦b≦23%であるCoFeBを用いることを特徴とする磁気抵抗効果素子。

IPC (8)：

H01L 43/08 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/105 ,  H01L 43/10 ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/16 ,  H01F 10/32 ,  G01R 33/09

FI (8)：

H01L43/08 M ,  H01L27/10 447 ,  H01L43/08 Z ,  H01L43/10 ,  G11B5/39 ,  H01F10/16 ,  H01F10/32 ,  G01R33/06 R

F-Term (12)：

2G017AB07 ,  2G017AD55 ,  2G017AD65 ,  5D034BA05 ,  5D034BA15 ,  5E049AA01 ,  5E049AA04 ,  5E049AC05 ,  5E049BA12 ,  5F083FZ10 ,  5F083JA02 ,  5F083JA39