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J-GLOBAL ID：200903067029842038

有機電界効果トランジスタ

Inventor： 西川 尚男 ,  竹谷 純一
Applicant, Patent owner： セイコーエプソン株式会社 ,  国立大学法人大阪大学
Agent (3)： 稲葉 良幸 ,  田中 克郎 ,  大賀 眞司
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007069485
Publication number (International publication number)：2008235374
Application date： Mar. 16, 2007
Publication date： Oct. 02, 2008
Summary：

【課題】デバイス特性を向上させることができる有機電界効果トランジスタを提供する。【解決手段】本実施形態に係る有機電界効果トランジスタは、有機半導体層15と、有機半導体層15の一方の面上に形成されたソース電極13およびドレイン電極14と、有機半導体層15の一方の面上であって、少なくともソース電極13およびドレイン電極14間の領域に形成されたゲート絶縁膜12と、ゲート絶縁膜12上であって、有機半導体層15の反対側に形成されたゲート電極11と、有機半導体層15とゲート絶縁膜12の間、又は有機半導体層15の他方の面上に形成され、有機半導体層15中にキャリアを補充するキャリア補充層16と、を有する。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

有機半導体層と、 前記有機半導体層の一方の面上に形成されたソース電極およびドレイン電極と、 前記有機半導体層の一方の面上であって、少なくとも前記ソース電極および前記ドレイン電極間の領域に形成されたゲート絶縁膜と、 前記ゲート絶縁膜上であって、前記有機半導体層の反対側に形成されたゲート電極と、 前記有機半導体層と前記ゲート絶縁膜の間、又は前記有機半導体層の他方の面上に形成され、前記有機半導体層中にキャリアを補充するキャリア補充層と、 を有する有機電界効果トランジスタ。

IPC (4)：

H01L 29/786 ,  H01L 51/05 ,  H01L 51/30 ,  H01L 51/40

FI (5)：

H01L29/78 618E ,  H01L29/28 100A ,  H01L29/28 220D ,  H01L29/28 310D ,  H01L29/78 618B

F-Term (22)：

5F110AA01 ,  5F110AA07 ,  5F110BB03 ,  5F110CC03 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110EE08 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF22 ,  5F110GG05 ,  5F110GG06 ,  5F110GG12 ,  5F110GG19 ,  5F110GG28 ,  5F110GG42 ,  5F110GG44 ,  5F110HK02 ,  5F110HK04 ,  5F110HK32 ,  5F110QQ16

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 有機半導体単結晶を用いた電界効果デバイスおよびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-082834   Applicant：財団法人電力中央研究所, セイコーエプソン株式会社