半導体複合センサ

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：小川勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995012299
Publication number (International publication number)：1996204209
Application date： Jan. 30, 1995
Publication date： Aug. 09, 1996
Summary：

【要約】【目的】ピエゾゲージ抵抗を用い、高精度化及び高信頼化された半導体複合センサを提供する。【構成】複数の半導体ピエゾゲージ抵抗を直列に接続して使用する半導体複合センサにおいて、等しい抵抗値を有する一方の抵抗の高電位端子と他方の抵抗の基板とを等電位接続すべく抵抗素子を分離し、それぞれの抵抗素子となる半導体領域とその基板電位との電位差を等しくする。

Claim (excerpt)：

少なくとも2つのピエゾ抵抗を接続して使用する半導体複合センサにおいて、前記2つのピエゾ抵抗は同じ形状を有すると共に、各々独自の電位を有する半導体領域に包囲され、且つ前記2つのピエゾ抵抗と前記半導体領域間の電位差を、夫々一定とすることを特徴とする半導体複合センサ。

IPC (3)：

H01L 29/84 , G01L 9/04 101 , G01L 13/06

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (21)

特開平4-249727
特開平4-249727
特開平2-304964

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