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J-GLOBAL ID：200903067038681730

半導体装置作製用SiC単結晶基板とその製造方法

Inventor： 加納 浩之 ,  夫馬 弘雄 ,  村田 年生 ,  三浦 篤志
Applicant, Patent owner： 株式会社豊田中央研究所
Agent (1)： 大川 宏
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992357053
Publication number (International publication number)：1994188163
Application date： Dec. 21, 1992
Publication date： Jul. 08, 1994
Summary：

【要約】【目的】 広い成長条件下において良質なSiC単結晶エピタキシャル成長層を有する半導体装置作製用SiC単結晶基板の製造を目的とする。【構成】 SiC単結晶基体と該基体表面上に形成されたSiCのエピタキシャル成長層とから構成され、該エピタキシャル成長層の表面粗さはZ0.005μm以下であるSiC単結晶基板。SiC単結晶インゴットからSiC単結晶板を製作する工程において、インゴットから基板状に加工し、鏡面仕上げをおこなう研磨工程と、研磨された表面をイオンエッチングする反応性イオンエッチング工程と、前記イオンエッチング工程で形成された表面にSiCのエピタキシャル成長層を形成するエピタキシャル成長層形成工程とからなる半導体装置作製用SiC単結晶基板の製造方法。

Claim (excerpt)：

SiC単結晶基体と該基体表面上に形成されたSiCのエピタキシャル成長層とから構成され、該エピタキシャル成長層の表面粗さはZ0.005μm以下であるSiC単結晶基板。

IPC (2)：

H01L 21/02 ,  H01L 21/205