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J-GLOBAL ID：200903067040289898

磁気抵抗効果ヘッド

Inventor： 鈴木 哲広
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 岩佐 義幸
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993026362
Publication number (International publication number)：1994243435
Application date： Feb. 16, 1993
Publication date： Sep. 02, 1994
Summary：

【要約】【目的】 バルクハウゼンノイズが小さくかつ、簡易な構造をもつ磁気抵抗効果ヘッドを提供する。【構成】 強磁性磁気抵抗効果層5と、強磁性磁気抵抗効果層との間に交換力によって縦方向バイアス磁界を生じさせるためのFeMnまたはFeMnを主成分とする反強磁性層4と、強磁性磁気抵抗効果層に横方向バイアス磁界を生じさせるための軟磁性バイアス補助層2とを有する磁気抵抗効果ヘッドにおいて、軟磁性バイアス補助層が面心立方構造以外の結晶構造を有し、反強磁性層の一部にのみ面心立方構造を有する下地層3が設けられており、かつ、軟磁性バイアス補助層、下地層、反強磁性層、強磁性磁気抵抗効果層が順次この順番に積層されている。

Claim (excerpt)：

強磁性磁気抵抗効果層と、前記強磁性磁気抵抗効果層との間に交換力によって縦方向バイアス磁界を生じさせるための反強磁性層と、前記強磁性磁気抵抗効果層に横方向バイアス磁界を生じさせるための軟磁性バイアス補助層とを有する磁気抵抗効果ヘッドにおいて、前記軟磁性バイアス補助層が面心立方構造以外の結晶構造を有し、前記反強磁性層の一部にのみ面心立方構造を有する下地層が設けられており、かつ、前記軟磁性バイアス補助層、前記下地層、前記反強磁性層、前記強磁性磁気抵抗効果層が順次この順番に積層されていることを特徴とする磁気抵抗効果ヘッド。

IPC (3)：

G11B 5/39 ,  G01R 33/06 ,  H01L 43/08