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J-GLOBAL ID：200903067048612515

半導体装置

Inventor： 田村 清一
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (1)： 山下 穣平
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995098500
Publication number (International publication number)：1996293494
Application date： Apr. 24, 1995
Publication date： Nov. 05, 1996
Summary：

【要約】【目的】 高い比誘電率、低誘電損失、低リーク電流という優れた特性をもつタンタル酸化膜を得る。【構成】 窒化タンタル膜を酸化することで得られたタンタル酸化膜TaOx(x=2.5±0.1)を絶縁膜102とする。

Claim (excerpt)：

窒化タンタル膜を酸化することで得られたタンタル酸化膜を絶縁膜とすることを特徴とする半導体装置。

IPC (6)：

H01L 21/316 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 29/78

FI (5)：

H01L 21/316 T ,  H01L 21/316 A ,  H01L 27/04 C ,  H01L 27/10 651 ,  H01L 29/78 301 G