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J-GLOBAL ID：200903067062676798

化学修飾半導体電極、並びに、その製造方法及びそれを用いた光電池

Inventor： 山口 康浩 ,  高田 北斗
Applicant, Patent owner： 富士ゼロックス株式会社
Agent (1)： 中島 淳 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000163486
Publication number (International publication number)：2001345124
Application date： May. 31, 2000
Publication date： Dec. 14, 2001
Summary：

【要約】【課題】 光電特性、耐久性、安全性、製造性等に優れた化学修飾半導体電極、並びに、その製造方法及びそれを用いた光電池を提供すること。【解決手段】 膜厚方向に対して異方的に配列された柱状半導体群と、個々の柱状半導体相互の間隙により形成される前記柱状半導体の長手方向に連続的に延びる細孔と、から構成される片多空質半導体電極層又は両多空質半導体電極層を有し、且つ該柱状半導体群表面の一部又は全部に、機能性化合物が担持されてなることを特徴とする化学修飾半導体電極、並びに、その製造方法及びそれを用いた光電池である。

Claim (excerpt)：

膜厚方向に対して異方的に配列された柱状半導体群と、個々の柱状半導体相互の間隙により形成される前記柱状半導体の長手方向に連続的に延びる細孔と、から構成される片多空質半導体電極層又は両多空質半導体電極層を有し、且つ該柱状半導体群表面の一部又は全部に、機能性化合物が担持されてなることを特徴とする化学修飾半導体電極。

IPC (2)：

H01M 14/00 ,  H01L 31/04

FI (2)：

H01M 14/00 P ,  H01L 31/04 Z

F-Term (12)：

5F051AA14 ,  5H032AA06 ,  5H032AS16 ,  5H032BB02 ,  5H032BB07 ,  5H032BB10 ,  5H032CC11 ,  5H032EE02 ,  5H032EE16 ,  5H032EE18 ,  5H032EE20 ,  5H032HH00