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J-GLOBAL ID:200903067065004308

金属層の形成方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 小島 隆司 (外2名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2000292415
Publication number (International publication number):2002105656
Application date: Sep. 26, 2000
Publication date: Apr. 10, 2002
Summary:
【要約】【解決手段】 還元性を有するケイ素系高分子薄膜を表面に形成させた基板を、標準酸化還元電位0.54V以上の金属からなる金属塩を含む溶液で処理して、基板表面に当該金属コロイドを析出させ、無電解メッキすることにより金属層を形成する方法において、当該金属コロイドを表面に有する基板に紫外光照射を行うことを特徴とする金属層の形成方法。【効果】 本発明によれば、各種基板に密着性のよい金属層を形成することができる。
Claim (excerpt):
還元性を有するケイ素系高分子薄膜を表面に形成させた基板を、標準酸化還元電位0.54V以上の金属からなる金属塩を含む溶液で処理して、基板表面に当該金属コロイドを析出させ、無電解メッキすることにより金属層を形成する方法において、当該金属コロイドを表面に有する基板に紫外光照射を行うことを特徴とする金属層の形成方法。
IPC (3):
C23C 18/28 ,  C23C 18/20 ,  H01L 21/288
FI (3):
C23C 18/28 A ,  C23C 18/20 A ,  H01L 21/288 M
F-Term (20):
4K022AA03 ,  4K022AA04 ,  4K022AA05 ,  4K022AA11 ,  4K022BA03 ,  4K022BA14 ,  4K022BA31 ,  4K022BA35 ,  4K022CA05 ,  4K022CA09 ,  4K022CA12 ,  4K022CA20 ,  4K022CA21 ,  4K022DA01 ,  4M104BB07 ,  4M104BB08 ,  4M104BB09 ,  4M104DD53 ,  4M104HH08 ,  4M104HH09
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (8)
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