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J-GLOBAL ID：200903067070773387

半導体結晶の熱処理方法

Inventor： 白川 良美 ,  金田 寛
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 井桁 貞一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991224068
Publication number (International publication number)：1993062984
Application date： Sep. 04, 1991
Publication date： Mar. 12, 1993
Summary：

【要約】【目的】 本発明は、半導体結晶の熱処理方法に関し、シリコン結晶中での酸素析出量を高精度で制御することができ、ゲッタリング能力のばらつきを抑える事ができる半導体結晶の熱処理方法を提供することを目的とする。【構成】 不純物炭素濃度が1 ppm以上であるシリコン結晶中の欠陥状態を液体窒素温度以下の低温測定で1000〜1120cm-1帯に現れる赤外吸収ピーク強度を比較することによって結晶を選別し、選別された該結晶の内、同一分類に属する結晶のみ、またはお互いに近い分類に属する結晶のみを熱処理することを特徴とするように構成する。

Claim (excerpt)：

不純物炭素濃度が1 ppm以上であるシリコン結晶中の欠陥状態を液体窒素温度以下の低温測定で1000〜1120cm-1帯に現れる赤外吸収ピークの強度を比較することによって結晶を選別し、選別された該結晶の内、同一分類に属する結晶のみ、またはお互いに近い分類に属する結晶のみを熱処理することを特徴とする半導体結晶の熱処理方法。

IPC (2)：

H01L 21/322 ,  H01L 21/66