Pat

J-GLOBAL ID：200903067081012620

トレンチゲート電極を備えスイッチング比抵抗の低減されたMOSトランジスタ構造体およびMOSトランジスタ構造体の製造方法

Inventor： フランツ ヒルラー ,  ヴォルフガング ヴェルナー
Applicant, Patent owner： インフィネオン テクノロジース アクチエンゲゼルシャフト
Agent (1)： 矢野 敏雄 (外4名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2000607274
Publication number (International publication number)：2002540603
Application date： Mar. 01, 2000
Publication date： Nov. 26, 2002
Summary：

【要約】本発明は、トレンチゲート電極を備えスイッチング比抵抗の低減されたMOSトランジスタ構造体に関する。この場合、2つの隣り合うドリフト領域間の横方向におけるボディ領域のドーピング濃度の積分値は、同じ横方向における1つのドリフト領域におけるドーピング濃度の積分値よりも大きいかそれと等しい。さらに本発明は、MOSトランジスタ構造体の製造方法に関する。この場合、ボディ領域とドリフト領域は、エピタキシャル成長およびインプランテーション、エピタキシャル成長の反復により、あるいはドーピングされた導電材料によってトレンチを充填することにより形成される。

Claim (excerpt)：

高濃度でドーピングされた第1の導電形の基板層(2)が設けられており、該基板層によりトランジスタ構造体の第1の表面(21)が規定され、 前記第1の導電形とは逆の導電形である第2の導電形のボディ領域(9)が設けられており、該ボディ領域(9)は、トランジスタ構造体の第2の表面(3)から該トランジスタ構造体中に延びており、 第1の導電形のソース領域(10)が設けられており、該ソース領域は第2の表面(3)からボディ領域(9)に延びており、 トレンチ(14)内に配置されたゲート電極(5)が設けられており、該ゲート電極は、第2の表面(3)からトランジスタ構造体(9)中に延びており、ゲート酸化物(4)によりライニングされていてボディ領域(9)に隣接し、前記ゲート電極(5)はボディ領域(9)の深さよりも浅く、 第1の導電形のドリフト領域(6)が設けられており、該ドリフト領域は前記トレンチ(14)の底部に隣接し、基板層(2)まで延在している、 MOSトランジスタ構造体たとえば請求項1記載のMOSトランジスタ構造体において、 2つの隣り合うドリフト領域(6)の間の横方向におけるボディ領域(9)のドーピング濃度の積分値は、同じ横方向における1つのドリフト領域(6)のドーピング濃度の積分値よりも大きいかそれと等しいことを特徴とする、 MOSトランジスタ構造体。

IPC (4)：

H01L 29/78 653 ,  H01L 29/78 652 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/336

FI (4)：

H01L 29/78 653 A ,  H01L 29/78 652 H ,  H01L 29/78 652 S ,  H01L 29/78 658 A