フォトレジスト組成物

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：久保山隆 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998360756
Publication number (International publication number)：2000029220
Application date： Dec. 18, 1998
Publication date： Jan. 28, 2000
Summary：

【要約】【課題】矩形に近いパターンを与え、また反射防止膜を設けた基板上でも、フォーカスマージンが広く、矩形に近い微細パターンを与えるフォトレジスト組成物を提供する。【解決手段】式(I)、(II)及び (III)(式中、R1 、R2 、R3 、R11、R12、R13、R21、R22及びR23は水素又は炭素数1〜4のアルキルを表し、R14、R15及びR16の一つは脂肪族炭化水素残基を表し、残りは水素若しくは脂肪族炭化水素残基を表すか、又はR14、R15及びR16のうち二つ若しくは三つが一緒になって、それらが結合する炭素原子とともに炭化水素環を形成し、Rは酸の作用により解裂する基を表す)で示される各構造単位を一分子中に有する樹脂を含有するフォトレジスト組成物。特に、酸発生剤と組み合わされる化学増幅型のポジ型フォトレジストとして適当である。

Claim (excerpt)：

下式(I)、(II)及び (III)(式中、R1 、R2 、R3 、R11、R12、R13、R21、R22及びR23は互いに独立に、水素又は炭素数1〜4のアルキルを表し、R14、R15及びR16の一つは脂肪族炭化水素残基を表し、残りは互いに独立に、水素若しくは脂肪族炭化水素残基を表すか、又はR14、R15及びR16のうち二つ若しくは三つが一緒になって、それらが結合する炭素原子とともに炭化水素環を形成し、Rは酸の作用により解裂する基を表す)で示される各構造単位を一分子中に有する樹脂を含有することを特徴とするフォトレジスト組成物。

IPC (2)：

G03F 7/039 601 , H01L 21/027

FI (2)：

G03F 7/039 601 , H01L 21/30 502 R

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

化学増幅ポジ型レジスト材料
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-104590 Applicant：信越化学工業株式会社
化学増幅ポジ型レジスト材料
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-188461 Applicant：信越化学工業株式会社
化学増幅ポジ型レジスト材料
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-266776 Applicant：信越化学工業株式会社

Show all

Return to Previous Page