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J-GLOBAL ID：200903067093386402

半導体装置

Inventor： 山本 武
Applicant, Patent owner： 株式会社三社電機製作所
Agent (1)： 田中 浩 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992109289
Publication number (International publication number)：1993283555
Application date： Apr. 01, 1992
Publication date： Oct. 29, 1993
Summary：

【要約】【目的】 半導体装置において熱膨張係数の異なる材料からなる金属基板と絶縁層の半田接合を改良して絶縁層の割れを防ぐ。【構成】 熱膨張係数の異なる材料からなる金属基板1と絶縁層2を半田接合するに際し、半田層を3a、3bの2層とし、この2層の半田層3a、3bの間に0.5mm厚以下の金属薄板5を介在させて接合するようにした。

Claim (excerpt)：

熱膨張係数の異なる材料からなる金属基板と絶縁層を半田層を介して接合し、上記絶縁層上に半導体チップを搭載した半導体装置において、上記半田層を2層とし、この2層の半田層の間に0.5mm厚以下の金属薄板を介在させたことを特徴とする半導体装置。

IPC (2)：

H01L 23/14 ,  H01L 23/50